Target median: 10.5 -8%
Target mean: 10.5 -8%
Low: 10.5
High: 10.5
Recommendation: none ■ (mean: -)
Everspin Technologies, Inc. manufactures and sells magnetoresistive random access memory (MRAM) technologies in the United States, Japan, Hong Kong, Germany, Singapore, China, Canada, and internationally. It offers Toggle MRAM, spin-transfer torque MRAM, and tunnel magneto resistance sensor products, as well as foundry services for MRAM products. The company provides its products for applications, including industrial, medical, automotive/transportation, aerospace, and data center markets. It serves original equipment manufacturers, contract manufacturers, and original design manufacturers through a direct sales channel, and a network of representatives and distributors. Everspin Technologies, Inc. was incorporated in 2008 and is headquartered in Chandler, Arizona.
Everspin Technologies, Inc. fabrique et vend des technologies de mémoire vive magnétorésistive (MRAM) aux États-Unis, au Japon, à Hong Kong, en Allemagne, à Singapour, en Chine, au Canada et à l'international. Elle propose des produits Toggle MRAM, MRAM à couple de transfert de spin et des capteurs à magnéto-résistance tunnel, ainsi que des services de fonderie pour les produits MRAM. La société fournit ses produits pour des applications notamment sur les marchés industriels, médicaux, automobiles/transport, aérospatiale et des centres de données. Elle dessert les fabricants d'équipement d'origine, les sous-traitants et les fabricants de conceptions originales via un canal de vente direct et un réseau de représentants et de distributeurs. Everspin Technologies, Inc. a été constituée en 2008 et son siège social est situé à Chandler, en Arizona.
Mémoire MRAM (non volatile) ; dossier très volatil, souvent “event-driven” (contrats, guidance)
Target median: 10.5
Target mean: 10.5
Low: 10.5
High: 10.5
Recommendation: none (mean: -)